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IRLD110中文资料

IRLD110图片

IRLD110外观图

  • 大小：169.79KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET POWER MOSFET
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：540 毫欧 @ 600mA，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：250pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRLD110

IRLD110供应商

更新时间:2023-01-27 19:44:50
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