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IRLD110中文资料

IRLD110图片

IRLD110外观图

  • 大小:169.79KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET POWER MOSFET
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:540 毫欧 @ 600mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:6.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:250pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRLD110

IRLD110供应商

更新时间:2023-01-27 19:44:50
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